题目：第五章 pin 二极管（结构/IV特性与阻断特性）来源：发功不发热（这名起的，深见功底啊！）
链接：第五章 pin 二极管（结构/IV特性与阻断特性）
关键信息摘录如下：
1、二极管结构最简单，但做起来一点也不简单；
2、经常作为续流二极管使用，也是理解双极器件的基础；
3、pin二极管一般为p+n-n+结构，在基区大注入时，导通电阻大为降低，称为电导调制；同时pin可耐高压（这半句是笔者追加）；
4、IV特性：随温度增加，漏电流增加，击穿电压略增加，自建电势Vbi降低；正向压降Vf呢？（作者没说，估计在后续章节讲）
5、现代快恢复二极管多采用穿通（Punch Through, PT）设计，电场形状为梯形；击穿电压由式(5-11)描述，基区宽度可减小至NPT设计的约63%（式(5-13)）；
对于非穿通（Non-Punch Through，NPT）设计，击穿电压 VBD 与基区参数的关系由式(5-1)给出。
6、实际PT设计通常采用中度穿通（式(5-15)和图5-5），N/N+结处的电场Ew≤Ec/2；
推荐理由：许久没见发功兄的大作了，抓紧翻起来；这篇把阻断特性讲的大差不差了（差，基区掺杂咋个选呢？），但正向的IV特性（未展开）以及反向恢复特性（仅提及）应当还有后续！推荐大家伙一起深究，深追追更！！！
我*，我的书呢？记得有一本来着。。。哎，书非借不能读也，书借出而不得还也。
