课件推送(MOSFET漏源间漏电Idss浅谈-功率半导体社/功率器件应用学习笔记)
- 2026-10-24 21:39:12
课件推送(MOSFET漏源间漏电Idss浅谈-功率半导体社/功率器件应用学习笔记)继续分享课件！ 这是最近困扰笔者的一个话题，翻阅了一些帖子，摘录如下： 题目：MOSFET漏源间漏电（Idss）参数浅谈 时间：2025年5月/2026年1月 
全文完。
来源：功率半导体社/功率器件应用学习笔记（排名不分先后）
链接：MOSFET 源漏间漏电（IDSS）参数解读（功率半导体社）
1、IDSS是指MOSFET在栅-源极短接，漏-源极之间施加指定的反向电压时（阻断状态），源漏之间流过的泄漏电流；
2、常见失效：
链接：SiC MOSFET规格参数中的IDSS&IGSS（功率器件应用学习笔记）
1、Idss物理机理：
2、改善措施：芯片尺寸和周长，这点很有意思；在面积相等的所有平面图形中，圆的周长最小。
3、Idss如何进行可靠性关联设计呢？！
推荐理由：两种不同的风格，供客官们对比；MOSFET Idss漏电跟设计、工艺和封装相关，并提出了改善措施（如：优化设计（降低终端表面电场，减小芯片周长/面积比）、工艺管控（外延品质，采用高质量钝化，宽的工艺容差），封装匹配（热应力匹配，阻挡水汽/离子））；还有什么好法子呢，抛砖引玉哈！！！推荐大家伙一起深究，深追追更！！！
全文完。
另功率半导体社HTRB、栅漏电（Igss）/HTGB等也有较为详尽的阐述。
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