课件分享(SiC MOSFET栅可靠性相关-晏北)
- 2026-04-13 04:14:16
来源：晏北
一、链接：高漏压DGB实验SiC MOSFET之阈值电压漂移
1、2024年，开姆尼茨工业大学，主要内容，是SiC MOSFET器件HV-GSS实验的阈值电压漂移研究；
2、本文提出HV-GSS实验，在栅极开关应力基础上，施加高漏源电压，旨在研究高电场对沟道和栅氧可靠性的影响；
1、2022年的文章，来自九州产业大学，主要内容是SiC MOSFET器件BTI及TDDB可靠性研究；
2、本文对比了两款商用SiC MOSFET器件在偏压温度不稳定性（BTI）、经时介质击穿（TDDB）两方面的可靠性；
3、A的三只样品的tBD离散很大，B的tBD和QBD均表现出异常的温度依赖性，即在室温下击穿时间最长；
1、2024年的文章，来自成电，主要内容是富氮设计对SiC MOSFET抗辐照能力的影响；
2、本文通过不同栅氧工艺，在SiC MOSFET和MOS电容的栅氧化层中引入不同含量的氮元素，再进行辐照实验，以探究氮元素含量高低对器件抗辐射能力的影响；
3、富氮设计不影响辐照前的栅氧化层寿命（辐照前不同氮含量器件的β值相近），但富氮设计加剧了辐照后栅氧寿命退化（辐照后样品β值显著增大）。富氮设计尽管可以降低Dᵢt，但也引入了空穴陷阱；
四、链接：SiC平面MOSFET栅氧可靠性及阈值电压不稳定性问题
1、2022年的文章，来自安森美，研究SiC 平面MOSFET的栅氧可靠性和阈值电压不稳定性；
2、高电场下栅氧化层的电学表征对SiC MOSFET芯片具有重要意义；动态栅偏（Dynamic Gate Bias，实验条件为：温度25℃、漏源电压0 V，-8 V / 20 V栅源电压应力，占空比50%）引起的SiC MOSFET参数漂移，主要表现为Vth和Rdon的增大；
五、链接：负栅压下，SiC MOSFET阈值电压不稳定性机理
1、2025年的文章，来自北大，主要内容是负栅压下，SiC MOSFET阈值电压不稳定性之机理；
2、当体二极管导通时，大量空穴会从P阱注入JFET区，结合负栅压作用，这些空穴可能被驱至栅氧化层附近；这些热空穴导致MOS界面产生正电荷俘获，使缺陷产生，进而导致Vth负向漂移；
全文完。
原文见链接： https://pan.baidu.com/s/5EEFpnLY2a1_e29OKbCsNhQ
貌似还有几篇，不再一一罗列，仰望依旧！
