课件推送(雪崩应力下碳化硅MOSFET阈值电压漂移研究(论文解析)-发功不发热)

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题目：雪崩应力下碳化硅MOSFET阈值电压漂移研究（论文解析）

时间：2025年11月

来源：发功不发热（这名起的，深见功底啊！）

链接：雪崩应力下碳化硅MOSFET阈值电压漂移研究（论文解析）

关键信息摘录如下：

1、现有sic mosfet器件采用老化筛选（HTRB/±HTGB，小时级）测试，剔除早期失效；

2、本文的初衷为探索一种新的测试方法替代老化筛选（成本高，效率低）；

3、本文提出了一种可量化、重复性强的雪崩应力后的阈值漂移测试方法；开发一台测试系统，可实现5000次以上的连续雪崩测试，并同时完成雪崩前后阈值电压测试；

4、测试结果：

4.1、单次雪崩测试时序如图1：

初始V_TH测量（t₀-t₁）：系统首先测量雪崩前的阈值电压，为V_TH-1；

雪崩应力施加（t₂-t₄）：随后，系统对器件施加一个雪崩应力脉冲；

通过精确控制脉冲宽度（t_pulse = t₃-t₂），可以实现对雪崩电流和能量的精确控制；

低延迟测量（t₄-t₅）：雪崩结束后，系统仅延迟数毫秒（t₄-t₅）；

雪崩后VTH测量（t₅-t₆）：紧接着进行第二次V_TH测量，记为V_TH-2；

自动计算漂移量：系统自动计算并记录阈值电压漂移量 ΔV_TH=V_TH-2- V_TH-1；

重复雪崩测试时序如图2：在单次雪崩基础上增加了雪崩测试过程的循环。

4.2、雪崩测试条件：初始V_DS=50V，储能电感L=100μH，栅极开启电压V_GS-ON=18V，雪崩电流约10.8 A，不同栅极关断电压（V_GSOFF）；

4.3、测试结果：

漂移方向：当 V_GSOFF = 0V 时，ΔV_TH出现正向漂移（约+0.11 V），当 V_GSOFF为负压时，ΔVTH出现负向漂移；

饱和现象：随着V_GSOFF负压增大，负向漂移的绝对值增大，并在V_GSOFF ≤ -6 V时趋于饱和，约为-0.226 V；

恢复特性：雪崩应力移除后，ΔV_TH会随着时间推移逐渐恢复至零。初始恢复速度较快，后续变慢；

5、作者向行业输出的一台全新测试理念的设备，暂停留在科学研究的初级阶段；但作者相信高效的自动测试（Automatic Test Equipment，ATE）筛代替费钱/时低效的老化筛是未来趋势；

推荐理由：许久没见发功兄的大作了，抓紧翻起来；这篇竟然是11月份的，笔者看来还是偷懒了，抓紧把债还一下，隔年了！话说老化筛确实耗时费力，有没有更好的手段呢？本文提出了一种方案，用雪崩筛，是不是个好法子呢，抛砖引玉哈！！！推荐大家伙一起深究，深追追更！！！