课件分享(SiC MOSFET栅可靠性相关-基本半导体-魏炜)

来源：魏炜-基本半导体

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1、抛出问题：

2、什么是栅极氧化层？

栅极氧化层（栅氧）：一层介质，通常为二氧化硅（SiO2），位于栅极多晶硅与半导体之间，决定MOSFET的沟道性能；

3、栅氧可靠性话题：栅氧生长缺陷、栅氧应力（温度/电场）、阈值漂移（SiC MOSFET特有）；

4、SiC MOSFET可靠性测试方法：HTGB+/-（笔者注：浅浅的一提，感觉有下文）；

二、题目：栅氧电场强度与寿命有什么关系？什么是F-N遂穿现象？

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1、抛出问题：

2、电场强度（18V开通，栅氧应力3MV/cm（栅氧临界击穿电场约10MV/cm）），寿命与电场强度负相关，栅氧的电场强度不宜超过4MV/cm；

（笔者注：很喜欢“背”这个讲述，背电场，背电流）；

3、FN隧穿发生（电场约5MV/cm），栅氧的寿命快速衰减；

三、题目：评估栅氧寿命的测试方法——经时介电击穿（TDDB）测试

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1、评估栅氧寿命的方法：TDDB；

推荐理由：又是熟悉的开场音乐，缺失科普小课堂，但含芯量满满！很多问题本身都很有价值，通俗有趣的解答更是锦上添花！本次分享的栅氧话题四讲，通俗易懂，很有启发！推荐大家伙一起深究，深追追更！！！

全文完。

之前笔者推过一篇，仰望依旧！